TRS12E65C,S1Q - DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
45798 Pieces
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Specifiche per TRS12E65C,S1Q
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TRS12E65C,S1Q
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Corrente: media rettificata (Io) :
12A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 12A
Velocità :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
90µA @ 170V
Capacità @ Vr, F :
65pF @ 650V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto / caso :
TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220-2L
Temperatura operativa - Giunzione :
175°C (Max)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TRS12E65C,S1Q
Schede tecniche :
TRS12E65C,S1Q.pdf
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