PMZB290UNE2YL - MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per PMZB290UNE2YL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : PMZB290UNE2YL
fabbricante : Nexperia USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DFN1006B-3
Pacchetto / caso : 3-XFDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : PMZB , PMZB29

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Schede tecniche : PMZB290UNE2YL.pdf

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