GP1M006A065CH - MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

codice articolo del costruttore

GP1M006A065CH

Numero parte interna

AX-GP1M006A065CH

fabbricante

Global Power Technologies Group

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

20912 Pieces

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Specifiche per GP1M006A065CH

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : GP1M006A065CH

fabbricante : Global Power Technologies Group

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1177pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 120W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : GP1M , GP1M00

Documenti per GP1M006A065CH

Schede tecniche : GP1M006A065CH.pdf

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