GP1M006A065CH - MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
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fabbricante
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MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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20912 Pieces
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Specifiche per GP1M006A065CH
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
GP1M006A065CH
fabbricante :
Global Power Technologies Group
Descrizione :
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1177pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
120W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D-Pak
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per GP1M006A065CH
Schede tecniche :
GP1M006A065CH.pdf
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