2N6798U - MOSFET N-CH 200V 18LCC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-2N6798U
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 18LCC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
18296 Pieces
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Specifiche per 2N6798U
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
2N6798U
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET N-CH 200V 18LCC
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5.29nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
800mW (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
18-ULCC (9.14x7.49)
Pacchetto / caso :
18-CLCC
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per 2N6798U
Schede tecniche :
2N6798U.pdf
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