2N6798U - MOSFET N-CH 200V 18LCC

codice articolo del costruttore

2N6798U

Numero parte interna

AX-2N6798U

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 18LCC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

18296 Pieces

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Specifiche per 2N6798U

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2N6798U

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 18LCC

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.29nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 800mW (Ta), 25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 18-ULCC (9.14x7.49)

Pacchetto / caso : 18-CLCC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per 2N6798U

Schede tecniche : 2N6798U.pdf

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