BSP296L6433HTMA1 - MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

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MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per BSP296L6433HTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BSP296L6433HTMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
Serie : SIPMOS®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17.2nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 364pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.79W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SOT223-4
Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : BSP29 , BSP296L6

Documenti per BSP296L6433HTMA1

Schede tecniche : BSP296L6433HTMA1.pdf

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