IXFN50N120SIC - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore

IXFN50N120SIC

Numero parte interna

AX-IXFN50N120SIC

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

12160 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IXFN50N120SIC

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFN50N120SIC

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 20V

Vgs (massimo) : +20V, -5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 1000V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B

Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXFN , IXFN50

Documenti per IXFN50N120SIC

Schede tecniche : IXFN50N120SIC.pdf

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