APTGTQ100DDA65T3G - POWER MODULE - IGBT
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
POWER MODULE - IGBT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
15016 Pieces
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Specifiche per APTGTQ100DDA65T3G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
APTGTQ100DDA65T3G
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
POWER MODULE - IGBT
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configurazione :
Dual Boost Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
100A
Potenza - Max :
250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) :
100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce :
6nF @ 25V
Ingresso :
Standard
Termistore NTC :
Yes
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
Module
Pacchetto dispositivo fornitore :
SP3F
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per APTGTQ100DDA65T3G
Schede tecniche :
APTGTQ100DDA65T3G.pdf
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