FCP220N80 - MOSFET N-CH 800V 23A

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 23A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FCP220N80

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FCP220N80
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 800V 23A
Serie : SuperFET® II
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 2.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4560pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 278W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : FCP , FCP2

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Schede tecniche : FCP220N80.pdf

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