NTLJD3182FZTBG - MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

codice articolo del costruttore

NTLJD3182FZTBG

Numero parte interna

AX-NTLJD3182FZTBG

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

7224 Pieces

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Specifiche per NTLJD3182FZTBG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NTLJD3182FZTBG

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 10V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 710mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-WDFN (2x2)

Pacchetto / caso : 6-WDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NTLJ , NTLJD31

Documenti per NTLJD3182FZTBG

Schede tecniche : NTLJD3182FZTBG.pdf

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