DMN2050LFDB-13 - MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
2977250 Pieces
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Specifiche per DMN2050LFDB-13
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
DMN2050LFDB-13
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
389pF @ 10V
Potenza - Max :
730mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore :
U-DFN2020-6 (Type B)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per DMN2050LFDB-13
Schede tecniche :
DMN2050LFDB-13.pdf
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