FDC637BNZ - MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDC637BNZ
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4070035 Pieces
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Specifiche per FDC637BNZ
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDC637BNZ
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 895pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per FDC637BNZ
Schede tecniche : FDC637BNZ.pdf
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