IRD3CH101DB6 - DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE

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DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRD3CH101DB6

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRD3CH101DB6
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Corrente: media rettificata (Io) : 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.7V @ 200A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 360ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 3.6µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : Die
Pacchetto dispositivo fornitore : Die
Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IRD3 , IRD3CH

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Schede tecniche : IRD3CH101DB6.pdf

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