MMDF2C03HDR2G - MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
30443 Pieces
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Specifiche per MMDF2C03HDR2G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
MMDF2C03HDR2G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
4.1A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
630pF @ 24V
Potenza - Max :
2W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SOIC
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per MMDF2C03HDR2G
Schede tecniche :
MMDF2C03HDR2G.pdf
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