MMDF2C03HDR2G - MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

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fabbricante
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MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Stato RoHS
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Specifiche per MMDF2C03HDR2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : MMDF2C03HDR2G
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.1A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 24V
Potenza - Max : 2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : MMDF , MMDF2C

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Schede tecniche : MMDF2C03HDR2G.pdf

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