NVATS4A101PZT4G - MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1290940 Pieces
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Specifiche per NVATS4A101PZT4G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NVATS4A101PZT4G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
27A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
875pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
36W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
ATPAK
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NVATS4A101PZT4G
Schede tecniche :
NVATS4A101PZT4G.pdf
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