STD11NM60N-1 - MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

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MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per STD11NM60N-1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : STD11NM60N-1
fabbricante : STMicroelectronics
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
Serie : MDmesh™ II
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 50V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 90W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK
Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : STD1 , STD11N

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Schede tecniche : STD11NM60N-1.pdf

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