STD11NM60N-1 - MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

codice articolo del costruttore

STD11NM60N-1

Numero parte interna

AX-STD11NM60N-1

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

61690 Pieces

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Specifiche per STD11NM60N-1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STD11NM60N-1

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

Serie : MDmesh™ II

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 90W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I-PAK

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STD1 , STD11N

Documenti per STD11NM60N-1

Schede tecniche : STD11NM60N-1.pdf

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