BSM180C12P2E202 - BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

codice articolo del costruttore

BSM180C12P2E202

Numero parte interna

AX-BSM180C12P2E202

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9084 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 340.2~~

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Specifiche per BSM180C12P2E202

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSM180C12P2E202

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 204A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35.2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : +22V, -6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1360W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : Module

Pacchetto / caso : Module

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSM18 , BSM180C

Documenti per BSM180C12P2E202

Schede tecniche : BSM180C12P2E202.pdf

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