SF808GHC0G - DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AB

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SF808GHC0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SF808GHC0G
fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Corrente: media rettificata (Io) : 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto / caso : TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SF8 , SF808

Documenti per SF808GHC0G

Schede tecniche : SF808GHC0G.pdf

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