NTD110N02RT4G - MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
920115 Pieces
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Specifiche per NTD110N02RT4G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NTD110N02RT4G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3440pF @ 20V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.5W (Ta), 110W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DPAK
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NTD110N02RT4G
Schede tecniche :
NTD110N02RT4G.pdf
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