BSZ340N08NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1937780 Pieces
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Specifiche per BSZ340N08NS3GATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSZ340N08NS3GATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta), 23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
9.1nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
630pF @ 40V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.1W (Ta), 32W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSZ340N08NS3GATMA1
Schede tecniche :
BSZ340N08NS3GATMA1.pdf
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