NSB8KTHE3_A/P - DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
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Breve descrizione
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
643550 Pieces
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Specifiche per NSB8KTHE3_A/P
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : NSB8KTHE3_A/P
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Corrente: media rettificata (Io) : 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per NSB8KTHE3_A/P
Schede tecniche : NSB8KTHE3_A/P.pdf
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