NSB8KTHE3_A/P - DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
643550 Pieces
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Specifiche per NSB8KTHE3_A/P
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NSB8KTHE3_A/P
fabbricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione :
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
800V
Corrente: media rettificata (Io) :
8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Velocità :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
-
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NSB8KTHE3_A/P
Schede tecniche :
NSB8KTHE3_A/P.pdf
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