SPI15N60CFDHKSA1 - MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262

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MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
Stato RoHS
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Specifiche per SPI15N60CFDHKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SPI15N60CFDHKSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
Serie : CoolMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 750µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1820pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 156W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3-1
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SPI15 , SPI15N60

Documenti per SPI15N60CFDHKSA1

Schede tecniche : SPI15N60CFDHKSA1.pdf

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