SCT3120ALGC11 - MOSFET NCH 650V 21A TO247N

codice articolo del costruttore

SCT3120ALGC11

Numero parte interna

AX-SCT3120ALGC11

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET NCH 650V 21A TO247N

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

61280 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SCT3120ALGC11

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SCT3120ALGC11

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET NCH 650V 21A TO247N

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 6.7A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 3.33mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 18V

Vgs (massimo) : +22V, -4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 500V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 103W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247N

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SCT3 , SCT312

Documenti per SCT3120ALGC11

Schede tecniche : SCT3120ALGC11.pdf

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