BSZ086P03NS3EGATMA1 - MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

codice articolo del costruttore

BSZ086P03NS3EGATMA1

Numero parte interna

AX-BSZ086P03NS3EGATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1399470 Pieces

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Specifiche per BSZ086P03NS3EGATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSZ086P03NS3EGATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 13.5A (Ta), 40A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 105µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 57.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4785pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TSDSON-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSZ086 , BSZ086P03

Documenti per BSZ086P03NS3EGATMA1

Schede tecniche : BSZ086P03NS3EGATMA1.pdf

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