W987D2HBJX6E - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per W987D2HBJX6E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : W987D2HBJX6E
fabbricante : Winbond Electronics
Descrizione : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria : 128Mb (4M x 32)
Frequenza di clock : 166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns
Tempo di accesso : 5.4ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 90-VFBGA (8x13)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : W987 , W987D2

Documenti per W987D2HBJX6E

Schede tecniche : W987D2HBJX6E.pdf

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