SI2333DDS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
2862605 Pieces
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Specifiche per SI2333DDS-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI2333DDS-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 8V
Vgs (massimo) :
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1275pF @ 6V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI2333DDS-T1-GE3
Schede tecniche :
SI2333DDS-T1-GE3.pdf
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