IRF200B211 - MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

codice articolo del costruttore

IRF200B211

Numero parte interna

AX-IRF200B211

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

403105 Pieces

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Specifiche per IRF200B211

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF200B211

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Serie : HEXFET®, StrongIRFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 80W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRF20

Documenti per IRF200B211

Schede tecniche : IRF200B211.pdf

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