IRLM120ATF - MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRLM120ATF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRLM120ATF
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 1.15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.7W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223-4
Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : IRLM120ATF.pdf

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