IRLM120ATF - MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223

codice articolo del costruttore

IRLM120ATF

Numero parte interna

AX-IRLM120ATF

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1836915 Pieces

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Specifiche per IRLM120ATF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRLM120ATF

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 1.15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.7W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223-4

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRL , IRLM1

Documenti per IRLM120ATF

Schede tecniche : IRLM120ATF.pdf

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