SI3585DV-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

codice articolo del costruttore

SI3585DV-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SI3585DV-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

29064 Pieces

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Specifiche per SI3585DV-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI3585DV-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 830mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI358 , SI3585D

Documenti per SI3585DV-T1-GE3

Schede tecniche : SI3585DV-T1-GE3.pdf

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