IRFIB5N65A - MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP

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Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
Stato RoHS
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Specifiche per IRFIB5N65A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRFIB5N65A
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 930 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1417pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 60W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IRF , IRFIB

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Schede tecniche : IRFIB5N65A.pdf

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