IXTF6N200P3 - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore

IXTF6N200P3

Numero parte interna

AX-IXTF6N200P3

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

30317 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 12.954~~

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Specifiche per IXTF6N200P3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTF6N200P3

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH

Serie : Polar™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 2000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 143nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3700pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 215W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : ISOPLUS i4-PAC™

Pacchetto / caso : ISOPLUSi5-Pak™

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT , IXTF6

Documenti per IXTF6N200P3

Schede tecniche : IXTF6N200P3.pdf

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