DMT69M8LSS-13 - MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
52770 Pieces
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Specifiche per DMT69M8LSS-13
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
DMT69M8LSS-13
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
33.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1925pF @ 30V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.25W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per DMT69M8LSS-13
Schede tecniche :
DMT69M8LSS-13.pdf
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