DS1250AB-100IND+ - IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
7048 Pieces
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Specifiche per DS1250AB-100IND+
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
DS1250AB-100IND+
fabbricante :
Maxim Integrated
Descrizione :
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo di memoria :
Non-Volatile
Formato di memoria :
NVSRAM
Tecnologia :
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria :
4Mb (512K x 8)
Frequenza di clock :
-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina :
100ns
Tempo di accesso :
100ns
Interfaccia di memoria :
Parallel
Tensione - Fornitura :
4.75V ~ 5.25V
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto / caso :
32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore :
32-EDIP
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per DS1250AB-100IND+
Schede tecniche :
DS1250AB-100IND+.pdf
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