IXFT12N100F - MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFT12N100F
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
46752 Pieces
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Specifiche per IXFT12N100F
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXFT12N100F
fabbricante :
IXYS-RF
Descrizione :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Serie :
HiPerRF™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
300W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-268 (IXFT)
Pacchetto / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXFT12N100F
Schede tecniche :
IXFT12N100F.pdf
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