RN1117MFV,L3F - TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

codice articolo del costruttore

RN1117MFV,L3F

Numero parte interna

AX-RN1117MFV,L3F

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

16135505 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RN1117MFV,L3F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RN1117MFV,L3F

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

Serie : -

Stato parte : Active

Transistor Type : NPN - Pre-Biased

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V

Resistor - Base (R1) : 10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2) : 4.7 kOhms

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA

Corrente - Limite del collettore (max) : 500nA

Frequenza - Transizione : 250MHz

Potenza - Max : 150mW

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore : VESM

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RN11 , RN1117

Documenti per RN1117MFV,L3F

Schede tecniche : RN1117MFV,L3F.pdf

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