AUIRF7379QTR - MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

codice articolo del costruttore

AUIRF7379QTR

Numero parte interna

AX-AUIRF7379QTR

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

614525 Pieces

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Specifiche per AUIRF7379QTR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AUIRF7379QTR

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.8A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 520pF @ 25V

Potenza - Max : 2.5W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : AUIR , AUIRF7

Documenti per AUIRF7379QTR

Schede tecniche : AUIRF7379QTR.pdf

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