K4U2E3S4AA-GHCL - 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

codice articolo del costruttore

K4U2E3S4AA-GHCL

Numero parte interna

AX-K4U2E3S4AA-GHCL

fabbricante

Samsung Semiconductor

Breve descrizione

12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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Specifiche per K4U2E3S4AA-GHCL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : K4U2E3S4AA-GHCL

fabbricante : Samsung Semiconductor

Descrizione : 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Serie : DDR3

Densità : 12 Gb

Org. : x32

Velocità : 4266 Mbps

Voltaggio : 1.8 / 1.1 / 0.6 V

Temp. : -40 ~ 105 °C

Pacchetto : 200FBGA

Stato prodotto : Mass Production

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : K4U2E , K4U2E3S

Documenti per K4U2E3S4AA-GHCL

Schede tecniche : K4U2E3S4AA-GHCL.pdf

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