PMWD15UN,518 - MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

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MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
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Specifiche per PMWD15UN,518

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : PMWD15UN,518
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1450pF @ 16V
Potenza - Max : 4.2W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSSOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : PMWD , PMWD15

Documenti per PMWD15UN,518

Schede tecniche : PMWD15UN,518.pdf

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