VN0106N3-G-P003 - MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per VN0106N3-G-P003

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : VN0106N3-G-P003
fabbricante : Microchip Technology
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 350mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 65pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-92-3
Pacchetto / caso : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per VN0106N3-G-P003

Schede tecniche : VN0106N3-G-P003.pdf

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