BUZ32 E3045A - MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

codice articolo del costruttore

BUZ32 E3045A

Numero parte interna

AX-BUZ32 E3045A

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9040 Pieces

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Specifiche per BUZ32 E3045A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BUZ32 E3045A

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 75W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BUZ3 , BUZ32

Documenti per BUZ32 E3045A

Schede tecniche : BUZ32 E3045A.pdf

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