BSC16DN25NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON

codice articolo del costruttore

BSC16DN25NS3GATMA1

Numero parte interna

AX-BSC16DN25NS3GATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

575900 Pieces

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Specifiche per BSC16DN25NS3GATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSC16DN25NS3GATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 32µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 62.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSC16D , BSC16DN25

Documenti per BSC16DN25NS3GATMA1

Schede tecniche : BSC16DN25NS3GATMA1.pdf

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