H5N2522LSTL-E - MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK

codice articolo del costruttore

H5N2522LSTL-E

Numero parte interna

AX-H5N2522LSTL-E

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

16976 Pieces

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Specifiche per H5N2522LSTL-E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : H5N2522LSTL-E

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 75W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-LDPAK

Pacchetto / caso : SC-83

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : H5N2 , H5N252

Documenti per H5N2522LSTL-E

Schede tecniche : H5N2522LSTL-E.pdf

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