ALD1101BPAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-ALD1101BPAL
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
82940 Pieces
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Specifiche per ALD1101BPAL
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
ALD1101BPAL
fabbricante :
Advanced Linear Devices Inc.
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
10.6V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
500mW
temperatura di esercizio :
0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto / caso :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-PDIP
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per ALD1101BPAL
Schede tecniche :
ALD1101BPAL.pdf
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