PHX27NQ11T,127 - MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A

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MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A
Stato RoHS
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Specifiche per PHX27NQ11T,127

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : PHX27NQ11T,127
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 110V 20.8A SOT186A
Serie : TrenchMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 110V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1240pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 50W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per PHX27NQ11T,127

Schede tecniche : PHX27NQ11T,127.pdf

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