IRFSL31N20D - MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRFSL31N20D
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
63360 Pieces
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Specifiche per IRFSL31N20D
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRFSL31N20D
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2370pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.1W (Ta), 200W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-262
Pacchetto / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRFSL31N20D
Schede tecniche :
IRFSL31N20D.pdf
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