TPH6R004PL,LQ - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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Numero parte interna
Breve descrizione
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per TPH6R004PL,LQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : TPH6R004PL,LQ
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie : U-MOSIX-H
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 87A (Ta), 49A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 20V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta), 81W (Tc)
temperatura di esercizio : 175°C
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : TPH6 , TPH6R0

Documenti per TPH6R004PL,LQ

Schede tecniche : TPH6R004PL,LQ.pdf

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