IPB50R140CPATMA1 - MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
188765 Pieces
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Specifiche per IPB50R140CPATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPB50R140CPATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
Serie :
CoolMOS™
Stato parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
550V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
140 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 930µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2540pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
192W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPB50R140CPATMA1
Schede tecniche :
IPB50R140CPATMA1.pdf
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