RQK0607AQDQS#H1 - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore

RQK0607AQDQS#H1

Numero parte interna

AX-RQK0607AQDQS#H1

fabbricante

Renesas Electronics America

Breve descrizione

MOSFET N-CH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

21760 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RQK0607AQDQS#H1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RQK0607AQDQS#H1

fabbricante : Renesas Electronics America

Descrizione : MOSFET N-CH

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : UPAK

Pacchetto / caso : TO-243AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RQK06 , RQK0607

Documenti per RQK0607AQDQS#H1

Schede tecniche : RQK0607AQDQS#H1.pdf

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