IPAW60R360P7SXKSA1 - MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
362480 Pieces
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Specifiche per IPAW60R360P7SXKSA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPAW60R360P7SXKSA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
Serie :
CoolMOS™ P7
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
555pF @ 400V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
22W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TO220 Full Pack
Pacchetto / caso :
TO-220-3 Full Pack
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPAW60R360P7SXKSA1
Schede tecniche :
IPAW60R360P7SXKSA1.pdf
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