APTM100A12STG - MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
27083 Pieces
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Specifiche per APTM100A12STG
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
APTM100A12STG
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Serie :
-
Stato parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
616nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
17400pF @ 25V
Potenza - Max :
1250W
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto / caso :
SP3
Pacchetto dispositivo fornitore :
SP3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per APTM100A12STG
Schede tecniche :
APTM100A12STG.pdf
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