APTM100A12STG - MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
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Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
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Specifiche per APTM100A12STG
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APTM100A12STG
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Serie : -
Stato parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 616nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 17400pF @ 25V
Potenza - Max : 1250W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : SP3
Pacchetto dispositivo fornitore : SP3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per APTM100A12STG
Schede tecniche : APTM100A12STG.pdf
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