APT11N80BC3G - MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

codice articolo del costruttore

APT11N80BC3G

Numero parte interna

AX-APT11N80BC3G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

77280 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per APT11N80BC3G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APT11N80BC3G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 680µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1585pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 156W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247 [B]

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APT1 , APT11N

Documenti per APT11N80BC3G

Schede tecniche : APT11N80BC3G.pdf

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